主要研究第三代宽禁带半导体（GaN、Ga2O3等）的电子与光电器件
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半导体材料与器件（Semiconductor Materials and Devices）
Arizona State University
亚利桑那州立大学
招收职位：硕士， 博士，
联系教授：Dr. Houqiang Fu
学校介绍：
亚利桑那州立大学（Arizona State University），简称ASU，成立于1885年，是世界一流的公立研究型大学，被卡内基高等院校分类标准归类为"高研究活动研究型大学"，2015至2019年间连续五年被《美国新闻与世界报道》评为美国最具创新力的大学。 亚利桑那州立大学设有22个学院，分布在菲尼克斯都会区的5个校区与哈瓦苏湖城的1个校区，并在加利福尼亚州和华盛顿特区设有学习中心和研究所。2014年，亚利桑那州立大学成功收购曾被誉为"国际管理教育第一校"的雷鸟全球管理学院。2022《美国新闻与世界报道》美国大学排名第117；美国最具价值大学排名第139；2022U.S. News世界大学排名全球第165；2021QS美国大学排名第62。ASU连续5年在美国最具创新性的学校排名第一；最受硅谷公司喜爱的前10名大学；世界上最负盛名的大学中的前1%；在世界上获得专利的前10名；美国在线电气工程硕士课程排名第一；喷气推进实验室/美国宇航局的14个战略合作伙伴之一。
学院：电气、计算机和能源工程学院
导师介绍：
Dr. Fu于2019年获得美国亚利桑那州立大学（ASU）电气工程博士学位，2014年获得中国武汉大学材料物理学学士学位。现任电气学院助理教授，亚利桑那州立大学计算机与能源工程。在加入亚利桑那州立大学之前，他是爱荷华州立大学电气与计算机工程系的助理教授。
Dr. Fu的研究重点是第三代宽禁带半导体（即GaN和氮化物合金、Ga2O3和氧化物合金以及AlN）材料和电子器件（例如电力电子和IC、射频/微波器件和MMIC、传感器）和光子学（例如，光电子学、波导、非线性光学、量子光子学）。获得2021年ISU Regents创新基金奖、2019年Palais杰出博士奖（ASU ECEE博士毕业生的最高荣誉）和2018年ASU杰出研究奖。他的工作被记录在 160 多篇期刊和会议出版物中，4 本书章节，2 项授权专利和 10 项正在申请的专利。他的研究成果被多家媒体报道，包括 IEEE Spectrum、Semiconductor Today、Compound Semiconductor、Silicon Valley Microelectronics。
研究兴趣：
Dr. Fu的研究探索新材料并开发下一代电子和光子/光电设备和系统，以满足能源效率、计算、通信和传感方面的关键社会需求，这些领域处于电气工程、材料科学、光子学和物理。我们目前正在研究令人兴奋的第三代半导体，即宽/超宽禁带 (WBG/UWBG) 半导体，例如 GaN、氧化镓、AlN 和 BN。
招收学生背景：
理想的候选人应具有电气工程、物理学、电力电子和电路、材料科学、光子学、光学工程或其他相关领域背景的学士或硕士学位。如果有兴趣，请将简历发送至教授邮箱咨询和申请。
招收时间：2026年春/秋季，收满截止
奖学金：全额奖学金
官方微信号：PhDLeague_Official
官方网站： http://phdleague.org/
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